英特爾DDR4解密
英特爾將面向發(fā)燒級玩家的產(chǎn)品和普通的桌面級產(chǎn)品從架構(gòu)上進(jìn)行了區(qū)隔，推出了專用接口的High End Desktop(HEDT)平臺。
從LGA 1366到LGA 2011，頂級平臺一直以高昂的價格和超群的性能出現(xiàn)在人們的面前。在2014年下半年，英特爾又將為我們帶來全新的HEDT平臺―Haswell-E架構(gòu)，和這個平臺相關(guān)的處理器、主板芯片組、內(nèi)存都全線更新。它們都有什么特點？性能如何？未來還將如何發(fā)展？就讓我們提前一探究竟。
Haswell-E：首款英特爾民用八核心處理器
作為HEDT平臺的核心，高性能處理器是整個平臺的關(guān)鍵。桌面處理器在進(jìn)入雙核心、四核心時代后，發(fā)展速度就慢了下來，之前英特爾也僅僅在頂級平臺上推出過六核心處理器。相比之下，競爭對手AMD反而更積極一些，四模塊八核心的推土機(jī)架構(gòu)拿下了民用市場桌面首個八核心處理器的頭銜。不過受制于性能，一直很難得到頂級玩家的青睞。這一次，英特爾推出了全新的Haswell-E架構(gòu)，將強大的英特爾八核心處理器帶向桌面市場。
Haswell-E是英特爾首款八核心處理器，專為頂級玩家設(shè)計。
八核心：性能最高提升45%
Haswell-E處理器和目前桌面流行的Haswell的關(guān)系非常近，與之前的IvyBridge-E和IvyBridge、SandyBridge-E和SandyBridge的關(guān)系類似。從架構(gòu)角度來說，Haswell-E和Haswell在核心微架構(gòu)上是基本相同的，都擁有諸如改進(jìn)的電源管理、增加的分派端口、AVX2指令集、TSX擴(kuò)展（由于出現(xiàn)重大BUG因此在目前的產(chǎn)品中被禁用了）等。除了核心微架構(gòu)外，Haswell-E和Haswell在非核心部分的設(shè)計存在比較明顯的差異，比如在總線、緩存結(jié)構(gòu)等方面，由于Haswell-E精簡自更高端的服務(wù)器產(chǎn)品，因此在這部分的設(shè)計上要比民用版本的Haswell更為復(fù)雜―也正是更為復(fù)雜的設(shè)計，使得Haswell-E能夠更有效地支撐多核心應(yīng)用和擴(kuò)展。有關(guān)這部分內(nèi)容，英特爾暫時沒有太多消息披露，因此尚無法給出詳細(xì)解讀。
Haswell-E目前最高擁有8個非模塊化、獨立的物理核心，加上英特爾的超線程技術(shù)，八核心的Haswell-E能夠提供16線程并行運作，在Windows任務(wù)管理器中看起來應(yīng)該蔚為壯觀。英特爾宣稱八核心的Haswell-E相比四核心的Haswell能夠帶來最多45%的多線程性能提升：核心數(shù)量翻了一番，性能只能提升最多45%，這從一個側(cè)面也說明了即使在總線和緩存架構(gòu)上給予更強的支持，Haswell-E在Amdahl定律（系統(tǒng)中對某一部件采用更快執(zhí)行方式所能獲得的系統(tǒng)性能改進(jìn)程度，取決于這種執(zhí)行方式被使用的頻率，或所占總執(zhí)行時間的比例。）約束下進(jìn)一步依靠增加核心數(shù)量來提升性能已經(jīng)比較難以有明顯效果了。
四通道DDR4
Haswell-E隨著核心數(shù)量增加也提升了三級緩存容量―從之前IvyBridge-E六核心的最大15MB提升至Haswell-E八核心最大20MB。另外值得一提的是內(nèi)存規(guī)格，Haswell-E支持最大四通道DDR4 2133規(guī)范，相比之前IvyBridge-E的最大四通道DDR3 1866，不但在帶寬上得到了提升，也徹底進(jìn)入了DDR4時代。
四通道DDR4 2133內(nèi)存能夠為Haswell-E提供最大68.2GB/s的帶寬，相比目前桌面Haswell的25.6GB/s高了大約1.6倍?？赡苁怯⑻貭柨紤]到八核心的需求，再加上HEDT平臺的用戶對價格普遍不敏感，因此才最終決定使用如此強悍的內(nèi)存配置。
40條PCI-E通道
由于目前英特爾處理器基本接管了北橋的功能，因此處理器為系統(tǒng)提供主要的PCI-E總線。Haswell-E最多可以支持40個PCI-E 3.0通道。在最理想的情況下，用戶可以使用CPU提供的PCI-E總線搭建PCI-E x16+PCI-E x16的雙卡系統(tǒng)，或者使用“x8+x8+x8+x8”的方式組建四路GPU系統(tǒng)。即使這樣，Haswell-E還額外留有8條PCI-E3.0通道給其他設(shè)備，比如SATA-Express、M.2、千兆網(wǎng)卡等。在最極端的情況下，借助于主板廠商設(shè)計以及第三方芯片的幫助，X99可以支持5個PCI-E 3.0 x8通道，能夠?qū)崿F(xiàn)5卡互聯(lián)。如此多的PCI-E通道，不但帶來了使用上的方便，也增強了系統(tǒng)的擴(kuò)展能力，滿足頂級玩家對帶寬的渴求。
Haswell-E系統(tǒng)架構(gòu)示意圖，支持四通道DDR4內(nèi)存。
改善的超頻性能
Haswell-E和之前的頂級處理器一樣，都會推出不鎖倍頻的版本。除了這些版本外，Haswell-E在超頻方面還做出了一些改進(jìn)，核心倍頻最高支持80倍、完全解鎖內(nèi)存控制器超頻限制、PCH超頻支持以1MHz為步進(jìn)的調(diào)節(jié)、PEG和DMI倍頻比例可選等。總而言之，對超頻玩家來說，Haswell-E的可玩性應(yīng)該很不錯。
目前已經(jīng)曝光的LGA2011-E接口的ES處理器頂蓋圖，可見最大變化在于頂蓋上下兩側(cè)的“護(hù)翼”。
在ComputeX上，很多廠商已經(jīng)迫不及待的曝光了X99主板。
說起超頻，就不得不提及另一個指標(biāo)：TDP。由于核心數(shù)量增加等原因，Haswell-E的TDP功耗比上代IvyBridge-E的130W略有增加。Haswell-E的TDP提高到了140W。為了控制散熱，英特爾提供了水冷和風(fēng)冷散熱器供用戶選擇。
此外，Haswell-E的制程依舊使用了目前最為成熟的22nm工藝，并沒有使用英特爾下一代處理器將使用的14nm新工藝。之前英特爾在桌面版本的處理器使用的22nm Fin-FET工藝上出現(xiàn)了漏電較高、溫度較高等問題，導(dǎo)致Haswell在超頻和溫度上的表現(xiàn)并不出色，這次Haswell-E的核心面積顯然會更大、功耗也會更高，不知道超頻表現(xiàn)是否還會受到工藝的限制。
英特爾公布的X99芯片組架構(gòu)圖。
最后說一下處理器的接口，Haswell-E使用LGA 2011-E接口，雖然針腳觸點還是2011個，但是相比之前IvyBridge-E所使用的LGA 2011-0版本而言，新的LGA 2011-E無論是物理尺寸還是針腳定義都和上代產(chǎn)品完全不同。LGA 2011-E的插槽長度為49.2mm，寬度為38.14mm，比上代產(chǎn)品的長43mm，寬38.5mm更大，因此如果要使用全新的Haswell-E處理器，購買一款新的使用X99芯片組的主板也就必不可少了。
X99：承載Haswell-E的新平臺
目前英特爾在HEDT平臺上的主板采用的是X79芯片組，而即將搭配Haswell-E的則是X99。由于從SandyBridge-E開始英特爾就將北橋徹底集成在了CPU中，因此芯片組也只是傳統(tǒng)意義上的南橋而已，相比前代產(chǎn)品X79，X99的技術(shù)改進(jìn)也并不明顯。
作為一款事實上的南橋芯片，X99主要的功能是提供大量的擴(kuò)展接口，在這一點上X99沒有讓用戶失望。根據(jù)英特爾的資料，X99提供了多達(dá)14個USB接口，其中6個USB 3.0、8個USB 2.0，此外還有10個SATA 6.0Gbps接口、千兆網(wǎng)卡等接口。X99還自帶了8個PCI-E 2.0通道，可以供一些廠商提供諸如SATA-E、M.2等磁盤接口使用。不過需要注意的是，相比CPU內(nèi)部集成的PCI-E通道，X99芯片組的PCI-E通道是通過帶寬為4GB/s的DMI 2.0總線和CPU相連的。如果使用太多設(shè)備在南橋連接的話，可能會帶來帶寬不足的問題，因此高端主板更愿意使用CPU端引出的PCI-E通道來連接諸如高速SSD、千兆網(wǎng)卡等快速設(shè)備。
由于X99芯片組只起到南橋的作用，功能不復(fù)雜，因此功耗也比較低，TDP功耗只有6.5W，一般主板上使用一個散熱片就能解決其散熱問題。制程方面，X99芯片組應(yīng)該使用的是比較老的45nm或者32nm工藝，比CPU工藝要落后很多，但也足夠了。
總的來說，英特爾在Haswell-E上的升級依舊只能說是按部就班，幾乎沒有出現(xiàn)任何革命性的改變。不過考慮到目前整個PC市場的大環(huán)境以及英特爾每年謹(jǐn)小慎微的升級步伐，PC已經(jīng)進(jìn)入了成熟穩(wěn)定的發(fā)展期，主板芯片組幾乎不再會出現(xiàn)什么重大變化了，而這樣的態(tài)勢估計還將持續(xù)很久。
DDR4：速度更快、功耗更低
而在本次平臺升級過程中，最重要的變化就是內(nèi)存從DDR3升級到DDR4。內(nèi)存在進(jìn)入DDR3時代后，已經(jīng)穩(wěn)定發(fā)展了接近7年，頻率從早期的DDR3 667、DDR3 800發(fā)展到目前的DDR3 2133甚至DDR3 2600，已經(jīng)基本達(dá)到了DDR3技術(shù)的極限。從2012年開始，內(nèi)存組織JEDEC就開始推廣有關(guān)DDR4內(nèi)存的相關(guān)內(nèi)容，同時廠商也在2013、2014年開始生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。
目前已經(jīng)有廠商展示了DDR4內(nèi)存，注意看金手指部分不是直線。
目前已經(jīng)有多家廠商發(fā)布了自己的DDR4內(nèi)存。從這些產(chǎn)品來看，內(nèi)存規(guī)格從DDR4 2133起跳，單條容量也高達(dá)8GB以上，甚至有廠商推出了單條32GB的DDR4內(nèi)存。實際上，目前DDR3內(nèi)存受限于架構(gòu)，產(chǎn)品頻率提升已基本瀕臨極限，未來系統(tǒng)帶寬的提升需要更為強悍的內(nèi)存架構(gòu)來支持，DDR4在這個時候開始推出并進(jìn)入市場，是整個PC行業(yè)繼續(xù)發(fā)展的重要一環(huán)。
DDR內(nèi)存基本架構(gòu)對比圖，最下方為DDR4
由于DDR4內(nèi)存和DDR3內(nèi)存使用了完全不同的架構(gòu)，因此其具體技術(shù)內(nèi)容還是非常值得深究的。有關(guān)DDR4技術(shù)的內(nèi)容，本刊在2013年五月下的《功耗更低,頻率更高,性能更強―DDR4內(nèi)存全景解析》一文中已經(jīng)給出了比較深入的解讀，本文僅對DDR4內(nèi)存的相關(guān)重要技術(shù)點給予簡單介紹。
DDR4：未來的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)
內(nèi)存的發(fā)展和CPU、GPU等產(chǎn)品有著較大不同，那就是內(nèi)存規(guī)范本身沒有競爭，內(nèi)存的設(shè)計和規(guī)格也是由JEDEC組織基本確定的，各個廠商只能在制造層面做出一些調(diào)整。在DDR4上，JEDEC推出的DDR4標(biāo)準(zhǔn)有著以下的特點。
首先，DDR4內(nèi)存為了達(dá)到更大的預(yù)取數(shù)和更高的帶寬，在內(nèi)部結(jié)構(gòu)上做出了很大的調(diào)整。DDR4內(nèi)存采用了Bank Group設(shè)計，內(nèi)部可以擁有兩個到四個Bank Group,這些Bank Group采用并行的方式運作，數(shù)據(jù)進(jìn)入內(nèi)存后，會被分成相同的數(shù)個數(shù)據(jù)包送入不同的Bank Group中。此外，DDR4內(nèi)存在I/O，內(nèi)存總線部分也做出了大量的調(diào)整，最終使得內(nèi)存的帶寬得到了大幅度提升。
英特爾公布的14nm對比22nm晶體管顯微照相圖。
其次，DDR4內(nèi)存最重要的核心技術(shù)指標(biāo)―預(yù)取數(shù)，相比DDR3沒有做出改變，依舊使用的是8bit預(yù)取，每次傳輸數(shù)據(jù)是以8bit為單位。但根據(jù)目前已知的資料，DDR4采用了全新的Bank Group結(jié)構(gòu)后，每個Bank Group每個周期都可以實現(xiàn)8bit預(yù)取?，F(xiàn)有的DDR4結(jié)構(gòu)一般會設(shè)計2個Bank Group，這樣就相當(dāng)于將預(yù)取數(shù)提升到了2個8bit，也就是相當(dāng)于16bit預(yù)?。m然其本質(zhì)完全不同，但是數(shù)據(jù)意義上可以簡單的這樣類比）。反映在名義頻率上，DDR4的名義頻率要比DDR3整整高一倍，這也是DDR4內(nèi)存高帶寬的來源。
第三，DDR4采用了全新設(shè)計的點對點總線技術(shù)。和DDR3采用的多點分支總線不同的是，傳統(tǒng)的多點分支總線在一個內(nèi)存通道上可以支持使用多個內(nèi)存，比如某CPU支持雙通道內(nèi)存，那么可以插入2個內(nèi)存條、4個內(nèi)存條甚至更多的8個，但是通道數(shù)量只有2個。點對點內(nèi)存則不是這樣，它的每個內(nèi)存通道只支持唯一的內(nèi)存。這樣設(shè)計的好處是可以盡可能多地使用內(nèi)存的位寬資源，并且設(shè)計難度較低、能夠支持更高的內(nèi)存頻率。雖然DDR4內(nèi)存采用了點對點設(shè)計，但這并不意味著用戶只能使用和內(nèi)存通道數(shù)相同的內(nèi)存根數(shù)，由于Switch Fabric的存在，用戶依舊和DDR3時代一樣，只需要在使用DDR4內(nèi)存時正確的將內(nèi)存插入插槽即可。
14nm的產(chǎn)品面積只有22nm產(chǎn)品的54%。
說到這里，DDR4的重要技術(shù)點就基本說完了。當(dāng)然，對用戶來說，技術(shù)上的內(nèi)容終究太遠(yuǎn)，具體到產(chǎn)品上來才更為貼切。那么DDR4內(nèi)存的外觀和規(guī)范方面又和DDR3有哪些不同呢？
從外觀來看，DDR4內(nèi)存最值得關(guān)注的是金手指不再筆直、且觸點更多；其次是防呆口更靠近中心。其他方面，比如DDR4內(nèi)存的長、寬和高，和DDR3內(nèi)存沒有太多差異。之前包括DDR3以及DDR2在內(nèi)的所有內(nèi)存，還有顯卡、聲卡、網(wǎng)卡等擴(kuò)展卡的金手指都是直的。這樣的設(shè)計使得金手指和內(nèi)存插槽接觸比較牢固，但摩擦力過高，導(dǎo)致內(nèi)存難以插拔，反而影響到了易用性。因此在DDR4上，內(nèi)存金手指被改成中間略高、兩邊略低的凸形設(shè)計。這樣的設(shè)計一方面可以保證內(nèi)存的堅固穩(wěn)定，另一方面由于兩端金手指變低，因此插拔起來也會更為容易。此外，DDR4內(nèi)存的金手指數(shù)量更多，有284個觸點，比DDR3的240個有比較明顯的增加。
性能和規(guī)格上，DDR4內(nèi)存的帶寬也隨著規(guī)格和技術(shù)的提升而大幅度提升。目前DDR4內(nèi)存規(guī)格多從DDR4 2133起跳，短期內(nèi)最高可達(dá)DDR4 3200，遠(yuǎn)期甚至可高達(dá)DDR4 4200甚至更高。在帶寬方面，以目前最主流的雙通道內(nèi)存為例，DDR3內(nèi)存的主流規(guī)范是DDR3 1600，雙通道帶寬為25.6GB/s，已經(jīng)逼近DDR3規(guī)范極限的DDR3 2133內(nèi)存雙通道帶寬為34.1GB/s。與之相對應(yīng)的是，目前DDR4初始階段的DDR4 2133雙通道內(nèi)存帶寬就為34.1GB/s，隨后的DDR4 3200的帶寬就會飆升至51.2GB/s，遠(yuǎn)期的DDR4 4200雙通道內(nèi)存的帶寬更是高達(dá)67.2GB/s，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>
雖然DDR4有很多優(yōu)點，帶寬潛力也大，但是畢竟是一個新生事物。目前DDR4內(nèi)存價格非常昂貴，相比同等容量的DDR3內(nèi)存，價格基本是DDR3的5倍甚至10倍，著實令很多玩家難以接受。另外，根據(jù)英特爾、三星等廠商的估計，DDR4內(nèi)存在2014年開始出售，2015年會逐漸擴(kuò)大市場份額同時價格也會下降，到了2016年DDR4內(nèi)存會基本占據(jù)市場主流地位。也就是說，DDR4內(nèi)存從發(fā)布到普及，還有將近兩年的時間。在這兩年時間中，英特爾等PC行業(yè)的領(lǐng)軍廠商，也將在新平臺上逐漸過渡，以配合DDR4內(nèi)存的發(fā)展以及行業(yè)換代。
Skylake-S―過渡時期的選擇
說完了頂級市場，再來看看民用級市場DDR4內(nèi)存的普及情況。在之前的路線圖上，英特爾在Haswell后應(yīng)該推出14nm的Broadwell。不過隨著英特爾計劃的改變，14nm工藝無法達(dá)到要求等問題接連出現(xiàn)，英特爾不得不將Haswell的生命周期延長，推出了頻率提升、小改版本的Haswell Refresh和90系列芯片組。原定的Broadwell（只支持DDR3）也隨之延期到了2014年底甚至2015年初。不過在DDR4內(nèi)存即將普及的情況下，英特爾在主流市場上也必須做出一些改變，于是，英特爾在未來規(guī)劃了全新的Skylake-S處理器和100系列芯片組，通過對DDR4和DDR3L系列內(nèi)存的“通吃”，在過渡時期為消費者和OEM廠商提供“緩沖”。
英特爾公布的Skylake產(chǎn)品介紹，深入內(nèi)容不多，大多集中在功能性介紹方面。
Skylake：全新架構(gòu)、全新工藝
目前有關(guān)Skylake的內(nèi)容披露不多，因此在架構(gòu)改進(jìn)方面沒有太多的細(xì)節(jié)，本文主要的介紹還是集中在相關(guān)規(guī)格和功能的改進(jìn)上。英特爾在工藝的研發(fā)上一向是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，獨步全球的。這次在14nm工藝的研發(fā)上，英特爾又做到了全球首家商業(yè)化。目前情況顯示，英特爾至少將領(lǐng)先各個競爭對手同檔次的工藝水平一年以上。英特爾14nm工藝將首先使用在Broadwell處理器上，不過根據(jù)英特爾的路線圖，Broadwell將在2015年第二季度和Skylake的桌面版本Skylake-S一同上市，其中前者主打高性能、不鎖倍頻的中高端市場，后者主推主流市場，兩者都將使用同樣的14nm工藝。因此，Skylake全系列也同樣使用14nm工藝。
說起14nm新工藝的最大優(yōu)勢，那就是芯片面積進(jìn)一步縮小。根據(jù)英特爾的數(shù)據(jù)，同等規(guī)格的SRAM存儲單元，14nm產(chǎn)品的尺寸只有22nm產(chǎn)品的54%，幾乎縮小至原來的一半。更小的芯片面積有助于切割出更多的芯片，降低了成本。此外，新的14nm工藝在細(xì)節(jié)上也做出了很多改進(jìn)，因此英特爾稱其為第二代三柵極晶體管技術(shù)（之前的產(chǎn)品稱為第一代三柵極晶體管技術(shù)，也就是英特爾一直宣稱的3D晶體管）。相比老的技術(shù)，新技術(shù)將晶體管的鰭片高度從之前的34nm增加到了42nm、鰭片間距從之前的60nm縮小到了這一代的42nm，這一系列改變提升了晶體管驅(qū)動電流的同時還降低了電容，提升了產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。英特爾宣稱14nm工藝的產(chǎn)品的性能功耗比是上代22nm產(chǎn)品的兩倍甚至更多。
總的來說，全新的工藝使得英特爾在產(chǎn)品端游刃有余―既可以推出高頻率產(chǎn)品應(yīng)對市場競爭，又能推出超低功耗產(chǎn)品實現(xiàn)便捷移動，或者使用更多的晶體管和技術(shù)達(dá)到更高的性能。總之，14nm的成熟和商業(yè)化，使得英特爾將繼續(xù)保持它顯著領(lǐng)先的態(tài)勢，也沒有任何廠商可以動搖英特爾穩(wěn)固的根基。
Skylake詳細(xì)的支持設(shè)備情況，其中藍(lán)色的是All in One設(shè)備支持的，
綠色則是桌面設(shè)備支持，其余的兩者都可以支持。
Skylake：支持DDR4和DDR3L
作為英特爾全新架構(gòu)的產(chǎn)品，Skylake在架構(gòu)特性上還是有不少的改變。英特爾著重點出了三點：全新的CPU架構(gòu)、更快的圖形性能以及更低的功耗。
首先來看全新的CPU架構(gòu)。從SandyBridge到現(xiàn)在，每一代純粹架構(gòu)提升帶來的性能增加應(yīng)該在5%左右，因此在Skylake上，英特爾很可能也維持這個幅度，依靠每一代對架構(gòu)的小幅改進(jìn)來提升性能。另外，Skylake使用的是全新的LGA 1151接口，和之前所有產(chǎn)品都不兼容，因此只能搭配全新的主板和100系列芯片組使用。
其次是圖形和相關(guān)部分。英特爾宣稱Skylake將會集成全新架構(gòu)的GPU，在API方面支持DirectX 12、OpenGL 5.x以及OpenCL 2.x。輸出方面支持最高4096×2304的4K超高清分辨率。性能方面英特爾宣稱會比目前的產(chǎn)品有比較大的改善。在視頻部分，Skylake擁有新的編解碼模塊，可以支持HEVC、VP8以及VP9等視頻格式的編解碼。輸出方面，Skylake支持三個DisplayPort接口，包括eDP接口在內(nèi)。在外接獨立顯卡的能力方面，Skylake和Haswell等產(chǎn)品一樣支持一條PCI-E 3.0 x16通道，搭配某些芯片組時可以拆分組建多卡系統(tǒng)。
在功耗方面，新的Skylake處理器將擁有三個不同的功耗檔次。最頂級的狂熱級四核心產(chǎn)品功耗為95W，預(yù)計不鎖倍頻的Skylake-S處理器應(yīng)該在這個功耗檔位；其次是普通四核心和雙核心產(chǎn)品，分別有65W和35W兩個不同的規(guī)格。
最后來看看大家最為關(guān)心的內(nèi)存支持。Skylake-S的桌面版同時支持DDR4內(nèi)存和DDR3L，并不支持傳統(tǒng)的DDR3內(nèi)存。這是因為DDR4內(nèi)存的電壓為1.2V，DDR3L的內(nèi)存電壓為1.35V，DDR3的內(nèi)存電壓為1.5V，英特爾可能考慮到相關(guān)供電的設(shè)計問題，因此沒有支持DDR3，僅僅支持了和DDR4電壓接近的DDR3L。
實際上對用戶來說，除了OEM廠商能夠大規(guī)模的使用DDR3L內(nèi)存外，一般用戶在市場上是基本買不到DDR3L內(nèi)存的成品內(nèi)存條的。因此，Skylake支持DDR3L和DDR4一是為OEM廠商考慮，方便OEM廠商在DDR3L和DDR4之間選擇搭配。二是在推廣DDR4內(nèi)存的過程中留下緩沖期，讓用戶不至于被昂貴的DDR4內(nèi)存所嚇倒。如此一來，內(nèi)存廠商在未來可能會上市多款針對桌面平臺的DDR3L內(nèi)存供消費者選擇。
除了上述內(nèi)容外，Skylake還有一些增強和改進(jìn)的技術(shù)特性，比如英特爾存儲保護(hù)技術(shù)、英特爾時鐘同步技術(shù)等一些有關(guān)商務(wù)和安全的特性，和一般用戶關(guān)系都不大，因此不再贅述。
100系列芯片組：Skylake的最佳搭檔
英特爾和Skylake系列處理器同時推出的還有100系列芯片組。在普通民用市場上，100系列芯片組分為Z170、H170和H110三款，商務(wù)市場上則有Q170、Q150和H150三款。和之前我們介紹的X99一樣，100系列芯片組也是事實上的南橋芯片，正如右表中列出的，不同檔次的產(chǎn)品有不同的外接設(shè)備能力。
在功能上面，100系列芯片組已經(jīng)開始全面進(jìn)化到PCI-E 3.0了，同時南橋與CPU相連的DMI通道也進(jìn)化到DMI 3.0。DMI 3.0相比之前的DMI 2.0，雙向傳輸帶寬高達(dá)8GB/s，恰好滿足了南橋所提供的四個PCI-E 3.0通道的需求。南橋的PCI-E 3.0加上CPU的PCI-E 3.0，使得100系列主板搭配CPU真正實現(xiàn)了主板的全PCI-E 3.0化。這樣一來，廠商可以直接使用南橋的PCI-E 3.0通道來設(shè)計高速存儲接口，不用再擔(dān)心之前X99、Z97芯片組上可能會出現(xiàn)的帶寬不足的問題，也不再需要占用CPU的PCI-E 3.0通道。需要注意的是，100系列芯片組中，面向民用市場的只有Z170和H170支持PCI-E 3.0，低端的H110只支持PCI-E 2.0。
芯片功能上，Z170支持組建多卡或者雙卡系統(tǒng)，將CPU提供的20個PCI-E通道拆分為兩個PCI-E x8通道或者一個PCI-E x8通道搭配2個PCI-E x4通道。H170和H110不支持多卡功能，這一點和目前的產(chǎn)品定位基本相同。
英特爾全新100系列芯片組架構(gòu)圖。
DDR4普及還需要時間
正如本文開頭所說，在經(jīng)歷了長達(dá)7年的發(fā)展后，DDR3內(nèi)存終于要走到了終點。當(dāng)然，在未來三年甚至五年的時間中，DDR3內(nèi)存都將會活躍在市場上，不過隨著主流平臺全面向DDR4遷移，DDR3被人遺忘也只是時間問題了。
DDR4的換代意味著什么？在目前PC市場如此乏力的情況下，DDR4的換代，很可能就這樣平靜過去，不會帶來太多的市場變化，人們更樂意將其看做PC市場中一次正常的技術(shù)進(jìn)步而已。對用戶來說，DDR4在短期內(nèi)只是高端玩家的玩物，至少從2015年第二季度Skylake上市后，DDR4普及才真正開始。而全面替代DDR3，可能需要等到2016年才能看到。那時，英特爾和AMD甚至已經(jīng)又更新過一輪或者兩輪產(chǎn)品了。
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為什么usb3.0傳輸速度慢 ? https://www.chinafix.com/zt/37384-1.html