國產(chǎn)內(nèi)存相對于三星前景如何
我們知道國產(chǎn)手機的崛起已經(jīng)呼喚我們不得不大力發(fā)展自己的儲存、芯片等業(yè)務(wù)，所以這幾年以來，我國也開始加碼DRAM和Nand領(lǐng)域，紫光甚至已經(jīng)拿出了DDR3成品，SSD更是拉上Intel提供核心資源。另外我們也知道國內(nèi)投巨資建立了三大儲存芯片基地，比如紫光主導的長江儲存以武漢為基地，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，合肥長鑫、福建晉華則以生產(chǎn)DRAM內(nèi)存為突破口。那么相比于現(xiàn)在國際上最強的三星，國產(chǎn)內(nèi)存到底進展得怎么樣了？國產(chǎn)內(nèi)存與其有多大的差距？下面隨小編一起來看看國產(chǎn)內(nèi)存的發(fā)展前景吧！
國產(chǎn)內(nèi)存
國產(chǎn)內(nèi)存一、長江儲存的3D NAND內(nèi)存進展 我們知道長江儲存主要以生產(chǎn)3D NAND國產(chǎn)閃存，現(xiàn)在已開始小規(guī)模量產(chǎn)32層3D NAND Flash，而32層3D NAND是第2代技術(shù)?！ 《岸螘r間三星宣告已正式開始量產(chǎn)第五代 3DV Nand閃存，96層堆疊、單碟 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片，可見從技術(shù)實力上來講，國產(chǎn)內(nèi)存落后大約是三代，而我們知道在內(nèi)存的發(fā)展上一代技術(shù)升級大約是一年半，所以三代技術(shù)落后5年左右。國產(chǎn)內(nèi)存
國產(chǎn)內(nèi)存二、福建晉化的 DRAM內(nèi)存進展 福建晉華的儲存產(chǎn)品是與臺聯(lián)電UMC合作的項目，投資約為53億美元，估計今年Q3季度試產(chǎn)，月產(chǎn)能大約為6萬片晶圓，規(guī)模比其他兩家要小一些?！ 【鸵?guī)格而言，現(xiàn)在福建晉華就產(chǎn)品規(guī)格沒有做過多說明，但有權(quán)威人士分析，前期的生產(chǎn)線是按照19nm工藝DRAM內(nèi)存生產(chǎn)來建設(shè)的，但從建設(shè)到真正的量產(chǎn)，可是有不短的時間，現(xiàn)在三星的工藝的18mm，可見只落后了大約一代，但考慮到三星是量產(chǎn)，而福建晉華是在建設(shè)，所以起碼有3年以上的差跑。國產(chǎn)內(nèi)存
國產(chǎn)內(nèi)存三、合肥長金的DRAM內(nèi)存進展 合肥長鑫合作方是兆易創(chuàng)新，目標是與福建晉華是一致，那就是研究19nm工藝的DRAM國產(chǎn)內(nèi)存，估計在2018年12月31日前研究成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率（測驗電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%?！ ∏懊嬉呀?jīng)說明過，三星現(xiàn)在最先進的DRAM公司也就是18nm工藝而已――當然，三星的是量產(chǎn)，兆易創(chuàng)新的是試產(chǎn)，而且良率要求很低，不低于10％就是成功了，距離量產(chǎn)還很遠，所以與福建晉華一樣，應(yīng)該是三年的差距水平?！ ×硗馊侨涨罢桨l(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片，而合肥兆鑫的8Gb LPDDR4已經(jīng)正式投片，但從投產(chǎn)到量產(chǎn)也是有不短的路程，沒有個一年半載就別想了。國產(chǎn)內(nèi)存
三星在2017年，僅芯片業(yè)務(wù)的營收就超過了1000億美元，占到了公司總收入的45%之多?？梢娍傮w而言，國產(chǎn)內(nèi)存落后三星應(yīng)該在3-5年的光景，所以說現(xiàn)階段國產(chǎn)內(nèi)存要趕上三星的任務(wù)還很艱巨，至于說要超過，那估計還很遙遠，沒有個3到5年的時間，無異于癡人說夢，就像芯片業(yè)務(wù)負責人Kim Ki-nam所說的，芯片行業(yè)的技術(shù)門檻比其它工業(yè)類別都要高，而且，短期內(nèi)投入大量資金無法克服。 不過小編認為國產(chǎn)內(nèi)存只要有起步就好，只要真正行動起來，落后一點不怕，最怕的是光說不練，你覺得呢？評論 (0)