首款3bit 3D閃存SSD 三星850 EVO解析
? 首款采用2bit 3D V-NAND閃存的三星850PRO旗艦級(jí)SSD誕生不足半年，三星緊接著推出新一代主打性價(jià)比的850 EVO SSD，它采用架構(gòu)更為先進(jìn)的3bit 3D V-NAND閃存。這引起SSD用戶的好奇和興趣，3bit 3D V-NAND閃存能給我們帶來(lái)什么變化？ 作為840 EVO的替代升級(jí)型號(hào)，850 EVO延續(xù)原廠主控、閃存、緩存、固件的四位一體優(yōu)勢(shì)。和840 EVO的相比，850 EVO的最大亮點(diǎn)無(wú)疑是3bit 3D V-NAND閃存，它的單位存儲(chǔ)密度、P/E耐久度較之840 EVO的2D平面閃存有質(zhì)的提升。
外觀上，850 EVO采用850PRO的主色調(diào)和設(shè)計(jì)風(fēng)格，除了背后醒目的標(biāo)簽，正面區(qū)別主要看①850PRO的殼體邊框進(jìn)行拋光處理，看起來(lái)“锃亮锃亮滴”；②外殼的三星LOGO正下方的方形標(biāo)識(shí)，850PRO為紅色，850 EVO則為灰色。
上一代三星840 EVO為了區(qū)分840PRO，前者采用灰色的主色調(diào)（后者采用黑色），并且840PRO和840 EVO拉開性能差距。此次850 EVO和850PRO采用同樣的主色調(diào)，留給我們一個(gè)懸念：850 EVO的性能達(dá)到850PRO的水準(zhǔn)？
3bit 3D V-NAND閃存長(zhǎng)什么樣？它和普通SSD所采用的2D閃存區(qū)別不大，但它的內(nèi)部構(gòu)造和普通2D平面閃存有著本質(zhì)的不同。一塊3bit 3D V-NAND閃存芯片由32個(gè)單元層垂直堆疊而成，它并沒有減少單元層尺寸，而且由于采用了更小的碳足跡，此結(jié)構(gòu)密度更高，性能更強(qiáng)。
一款SSD的主控和閃存對(duì)性能起到?jīng)Q定性作用，下面我們拆解三星850 EVO 1TB SSD，對(duì)它的主控和閃存進(jìn)行解析：
}主控：和840 EVO、850PRO一致
三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片
三星850 EVO 1TB SSD采用840 EVO、850PRO的S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片，屬于ARM架構(gòu)的三核處理器，具備強(qiáng)悍的多任務(wù)、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。
}閃存：首款應(yīng)用消費(fèi)級(jí)SSD的3bit 3D V-NAND?
3bit MLC閃存率先應(yīng)用在前兩代的三星840系SSD，而在3bit 3D V-NAND閃存，三星再次走在其他廠家前面，首次應(yīng)用于850 EVO SSD。和采用2bit 3D V-NAND的85OPRO 1TB SSD不同，850 EVO 1TB SSD采用的8顆3D閃存均為同規(guī)格容量；而850PRO 1TB SSD的正反兩面的閃存編號(hào)和容量不一。
這款率先采用3bit 3D V-NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD性能如何？下面我們將用850PRO 1TB、840PRO 512GB SSD、840 EVO 1TB SSD進(jìn)行性能對(duì)比、分析：
■ATTO Disk Benchmark測(cè)試
數(shù)據(jù)類型：壓縮型 ??
ATTO Disk Benchmark是一款優(yōu)秀且免費(fèi)的磁盤基準(zhǔn)測(cè)試軟件，支持對(duì)穩(wěn)定性/突發(fā)性傳輸速率進(jìn)行讀寫測(cè)試，適用于常規(guī)硬盤、RAID、USB閃存盤、移動(dòng)存儲(chǔ)卡等產(chǎn)品的讀寫性能測(cè)試。
三星850 EVO 1TB SSD ATTO 隊(duì)列深度4測(cè)試
壓縮數(shù)據(jù) 讀寫速度對(duì)比
■ CrystalDiskMark持續(xù)讀寫測(cè)試
數(shù)據(jù)類型：非壓縮型 ??
CrystalDiskMark是一款簡(jiǎn)單易用的硬盤性能測(cè)試軟件，但測(cè)試項(xiàng)目非常全面，涵蓋連續(xù)讀寫、512K和4KB數(shù)據(jù)包隨機(jī)讀寫性能，以及隊(duì)列深度（Queue Depth）為32的情況下的4K隨機(jī)性能。隊(duì)列深度描述的是硬盤能夠同時(shí)激活的最大IO值，隊(duì)列深度越大，實(shí)際性能也會(huì)越高。
三星850 EVO 1TB SSD CrystalDiskMark測(cè)試
非壓縮數(shù)據(jù) 讀寫速度對(duì)比
點(diǎn)評(píng)：ATTO和CDM是分別測(cè)試出了SSD的非壓縮型和可壓縮型數(shù)據(jù)的順序讀寫速度，是SSD性能的重要參考依據(jù)。從測(cè)試得出的數(shù)據(jù)可以看出三星850 EVO 1TB SSD的表現(xiàn)不俗，測(cè)試成績(jī)與新一代旗艦850PRO 1TB SSD僅有微弱的差距。
相比上一代的840 EVO 1TB SSD而言，最大讀取速度更接近SATA3.0速率極限，而兩款產(chǎn)品均采用三星MEX主控，由此見這點(diǎn)微弱的讀寫速度差距是由閃存顆粒造成的。
隨機(jī)讀寫性能是固態(tài)硬盤的關(guān)鍵指標(biāo)，其單位為IOPS，即每秒進(jìn)行讀寫（I/O接口）操作的次數(shù)。我們從表中看到固態(tài)硬盤的每秒進(jìn)行讀寫操作的次數(shù)是以萬(wàn)為單位進(jìn)行計(jì)算，而傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤不足300 IOPS值。?
■AS SSD Benchmark IOPS對(duì)比?
AS SSD Benchmark是一個(gè)專門為SSD測(cè)試而設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)程序，因?yàn)樗峁┝撕艽蟮目啥ㄖ菩浴?/p>
? ? 它的成績(jī)顯示可以分為兩種，一種是MB/秒的形式，另一種是IOPS形式。本次測(cè)試主要使用這款軟件的IOPS隨機(jī)讀寫功能，測(cè)試4K-64Thrd多任務(wù)隨機(jī)讀寫 IOPS值。?
讀寫速度
讀寫IOPS值
點(diǎn)評(píng)：在AS SSD測(cè)試中，我們的側(cè)重點(diǎn)是IOPS值，雖然三星850 EVO 1TB SSD定位非旗艦，但這一項(xiàng)測(cè)試中有著比肩旗艦的性能表現(xiàn)，并且以微弱的優(yōu)勢(shì)戰(zhàn)勝了上一代840PRO。
當(dāng)然，細(xì)心的用戶會(huì)發(fā)現(xiàn)三星850 EVO 1TB SSD在4K讀寫的表現(xiàn)也相當(dāng)出眾，一改以往三星“主流/入門級(jí)別”SSD在4K讀寫表現(xiàn)中規(guī)中矩，這回翻身了！我們將在下一頁(yè)對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)分析：
我們?cè)谇懊娣治鋈?50 EVO 1TB SSD讀寫速度和隨機(jī)讀寫能力(IOPS)，這些數(shù)據(jù)實(shí)際上均為順序讀寫，因此它們的測(cè)試結(jié)果往往偏向最大化。在實(shí)際工作和生活中，我們并不是按照順序讀寫SSD里的數(shù)據(jù)，而是根據(jù)用戶的實(shí)際需要從SSD的具體某個(gè)地方抽取數(shù)據(jù)，這就是4K隨機(jī)讀寫速度、4K隨機(jī)讀寫IOPS值的由來(lái)。
筆者使用CrystalDiskMark以及AS SSD軟件進(jìn)行4K隨機(jī)讀寫測(cè)試，對(duì)4款SSD做橫向比較，以便可以較好地看出三星850 EVO 1TB SSD的位置。
1、4K隨機(jī)讀寫速度：?
4K隨機(jī)讀寫速度對(duì)比
點(diǎn)評(píng)：4款SSD的4K隨機(jī)讀取速度，850 EVO一枝獨(dú)秀，840 EVO獲得第二名。850PRO、840PRO反倒不如兩位EVO小輩。
到了4K隨機(jī)寫入速度，850PRO躍居第一名，850 EVO以微弱差距排名第二，840PRO、840 EVO依次排名第三、第四。
2、4K隨機(jī)讀寫IOPS值：
4K隨機(jī)讀寫IOPS值對(duì)比
點(diǎn)評(píng)：4K隨機(jī)讀取IOPS值的對(duì)比當(dāng)中，850 EVO獲得第一名，對(duì)比其他3款SSD均有不同程度優(yōu)勢(shì)。
在4K隨機(jī)寫入IOPS值對(duì)比，850 EVO也僅弱于850PRO，小幅領(lǐng)先840PRO，大幅超越840 EV0。
小結(jié)：如果說(shuō)讀寫速度、隨機(jī)讀寫IOPS值，三星850 EVO 1TB SSD和其他“三位師兄、師弟”打得難分難解。在本次兩項(xiàng)4K測(cè)試當(dāng)中，850 EVO將“4K讀寫速度、4K隨機(jī)讀寫IOPS值”的突出性能展現(xiàn)出來(lái)，它接近850PR0，小超840PRO、大超840 EVO。
■PCMark8硬盤測(cè)試
PCMark8是全面系統(tǒng)且專業(yè)的測(cè)試方式，為用戶的PC進(jìn)行性能評(píng)定。它對(duì)于操作系統(tǒng)的要求至少是Win7，當(dāng)然作為專為Win8量身定制的軟件，對(duì)于Win8的支持則是最完美的。諸如Vista及WinXP是完全無(wú)法運(yùn)行該軟件的。
PCMark8
PCMark8內(nèi)置了多個(gè)測(cè)試項(xiàng)目，其中Storage測(cè)試項(xiàng)目針對(duì)硬盤性能做出評(píng)定，包括兩款游戲以及各種辦公應(yīng)用測(cè)試。分別為《魔獸世界》和《戰(zhàn)地3》的游戲載入測(cè)試，Photoshop，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe lllustrator，微軟Office Word、Office Excel以及Office PowerPoint等十項(xiàng)測(cè)試。
PCMark8硬盤得分
三星850 EVO 1TB SSD的硬盤得分為4987，較之SATA3.0 SSD的最高分王－－三星840PRO 512GB SSD的4998分略低11分；其硬盤帶寬為283.89MB/s。?
PCMark8硬盤得分對(duì)比
PCMark8完全模擬游戲、辦公軟件的應(yīng)用場(chǎng)景，其硬盤測(cè)試惜分如金，往往20分就可將SSD拉開一個(gè)檔次。三星840PRO 512GB SSD的得分依然是最高，850 EVO和850PRO 1TB SSD的得分一樣，840 EVO也僅僅落后4分。
點(diǎn)評(píng)：PCMark8在SSD測(cè)試中越來(lái)越受到重視，作為一款權(quán)威的綜合型測(cè)試軟件，其在每一個(gè)子項(xiàng)目都有著絕對(duì)的說(shuō)服力，最后得出的總分能夠讓人更直觀的了解性能表現(xiàn)。
另外的表現(xiàn)方式就是硬盤的速率表現(xiàn)，這款850 EVO 1TB SSD測(cè)試出來(lái)的硬盤帶寬速率超過了283MB/s，它的實(shí)際應(yīng)用表現(xiàn)相當(dāng)出色。并且，這個(gè)速率往往就是我們復(fù)制文件時(shí)的平均寫入速率。
本次送測(cè)的三星850 EVO 1TB SSD，整體性能和850PRO相當(dāng)，后者的2bit 3D V-NAND具備eMLC企業(yè)級(jí)別閃存的耐久度，當(dāng)然售價(jià)更高。作為840 EVO的升級(jí)換代產(chǎn)品，我們難免會(huì)拿它做對(duì)比。和840 EVO相比，850 EVO的具體進(jìn)步有哪些？
1、整體性能提高5.25%
從上圖分析可知，850 EVO 1TB SSD對(duì)比840 EVO 1TB SSD，它的整體性能提高5.25%。性能提升部分主要來(lái)自4K讀寫、4K隨機(jī)讀寫（IOPS）值，這是840 EVO SSD無(wú)法和850 EVO相提并論的。
2、閃存的耐久度提升
3bit 3D V-NAND閃存較之平面3bit 2D閃存具有更高的耐久度，三星官方表示850 EVO的耐久度翻倍提升（對(duì)比840 EVO），其質(zhì)保售后期限從三年延長(zhǎng)至五年。
“840 EVO SSD” VS “850 EVO SSD”
?。?、突出低容量版本的性能優(yōu)勢(shì)
850 EVO的銷售主力將是120GB和250GB版本，3bit 3D V-NAND閃存具備更多的CE數(shù)量，其性能對(duì)比840 EVO 120GB和250GB有一定幅度的提升。我們也將在后續(xù)對(duì)850 EVO 120GB/250GB/500GB版本跟進(jìn)測(cè)試。
測(cè)試平臺(tái)配置
寫在最后：在3D閃存技術(shù)，三星走在其他閃存廠家的前面，它不但將2bit 3D V-NAND閃存應(yīng)用在高端850PRO，更將3bit 3D V-NAND閃存應(yīng)用在主流級(jí)別的850 EVO。
從測(cè)試結(jié)果看，新一代850 EVO SSD具備更強(qiáng)的耐久度，更優(yōu)的4K讀寫性能，或者說(shuō)：“850 EVO不能稱之為入門級(jí)SSD，它的性能和850PRO旗鼓相當(dāng)。”
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機(jī)械硬盤內(nèi)部構(gòu)造 ? https://www.chinafix.com/zt/37639-1.html