侵犯FinFET專利？ KAIST起訴三星、高通及GF
除了智能手機(jī)知名之外，三星還是全球重要的半導(dǎo)體公司，在2016年TOP20半導(dǎo)體公司中營收排名第二，僅次于Intel，領(lǐng)先于TSMC臺(tái)積電。在FinFET代工上，三星也比TSMC公司搶先量產(chǎn)14nm FinFET工藝，不僅為高通代工驍龍820/821處理器，還把14nm工藝授權(quán)給了AMD好基友GlobalFoundries公司。三星為何在FinFET工藝上領(lǐng)先？TSMC早前指責(zé)三星剽竊了他們的工藝技術(shù)，現(xiàn)在韓國KAIST（韓國科學(xué)與技術(shù)學(xué)院）把三星告上了法庭，指控他們侵犯了KAIST的FinFET專利，一同挨告的還有高通和GlobalFoundries兩家。
雖然普通人沒聽過KAIST（韓國科學(xué)與技術(shù)學(xué)院）的名頭，不過他們?nèi)ツ晔欠敲绹盒Ｔ诿绹暾?qǐng)專利第二多的高校，申請(qǐng)了105項(xiàng)專利，排名第一的則是中國清華大學(xué)，申請(qǐng)了185項(xiàng)專利，因此KAIST在科研實(shí)力上還是很有底氣的，他們這次通過管理專利的子公司KAIST IP在美國德州聯(lián)邦法院提起了法律訴訟，指控三星、GF及高通侵犯了他們編號(hào)為6885055的美國專利――一種雙柵極FinFET設(shè)備及其制造方法。
根據(jù)KAIST所述，2001年還在韓國圓光大學(xué)任職的教授Lee Jong-ho提出了這種技術(shù)，三星當(dāng)時(shí)對(duì)FinFET工藝并沒有任何興趣。不過在Intel率先推出類似FinFET工藝的3D晶體管技術(shù)之后，三星邀請(qǐng)了Lee教授給自家工程師演講，獲得了這種專利技術(shù)。
KASIT IP指出，三星盜用Lee教授的技術(shù)可以節(jié)省大量開發(fā)時(shí)間和成本，但卻沒有支付任何專利費(fèi)。他們指責(zé)三星還在持續(xù)侵犯該技術(shù)，絲毫不考慮Lee教授的權(quán)益或者適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償。
由于三星的14nm FinFET工藝不僅自己用，還授權(quán)給了GlobalFoundries公司，并為高通公司代工處理器，因此后面兩家也一起被告上了法庭。
對(duì)于這些指控，三星公司表示正在調(diào)查指控情況，他們強(qiáng)調(diào)從2000年代初期就開始研發(fā)3D半導(dǎo)體技術(shù)，擁有FinFET相關(guān)專利。
PS：早前TSMC指責(zé)三星挖走了TSMC前研發(fā)部門高管Liang Mong-song，后者帶著技術(shù)資料跳槽，他們認(rèn)為三星在14nm FinFET工藝上進(jìn)展迅速就是靠著TSMC的技術(shù)，不過TSMC跟三星之間只是打了嘴仗，TSMC并沒有起訴三星。這次KAIST不同了，直接向法院起訴了，顯然是有備而來。
另外，F(xiàn)inFET技術(shù)的發(fā)明人是胡正明教授，不知道他申請(qǐng)了多少專利。