330TB！IBM 再創(chuàng)磁帶儲(chǔ)存新記錄
IBM 研究院近日再次創(chuàng)下新的磁帶儲(chǔ)存世界紀(jì)錄，這是自2006 年以來(lái)第5次突破該記錄。 這項(xiàng)新的記錄使儲(chǔ)存密度大增，每平方英寸的磁帶可以?xún)?chǔ)存201 GB的數(shù)據(jù)，即每盤(pán)磁帶330TB的原始容量，這一記錄是在索尼儲(chǔ)存介質(zhì)搞定方案 (Sony Storage Media Solutions) 公司研究的濺射磁帶原型上實(shí)現(xiàn)的。 2017 年 8 月 2 日，IBM科學(xué)家在第二十八屆磁記錄會(huì)議 (TMRC 2017) 上展示了這一成果。 磁帶儲(chǔ)存現(xiàn)在是最安全、最節(jié)能、性?xún)r(jià)比最高的儲(chǔ)存方式，適用于大容量備份、檔案資料儲(chǔ)存以及大數(shù)據(jù)和云計(jì)算等新的使用儲(chǔ)存。 圖注：IBM 的磁帶密度記錄發(fā)展歷程 相當(dāng)于三億三千萬(wàn)本書(shū)的內(nèi)容，一盒磁帶可存放 新的儲(chǔ)存密度是相似IBM TS1155 企業(yè)級(jí)磁帶驅(qū)動(dòng)器這樣的當(dāng)今頂級(jí)商用磁帶產(chǎn)品的儲(chǔ)存密度的20 多倍。在此密度下，可將330 TB 的未壓縮數(shù)據(jù)*存放在一個(gè)可用手掌握住的磁帶盒中。 330 TB 數(shù)據(jù)相當(dāng)于三億三千萬(wàn)本書(shū)的內(nèi)容，如果用書(shū)架來(lái)擺放，其長(zhǎng)度將超過(guò)日本領(lǐng)土東北角到西南角的距離。 現(xiàn)在，磁帶數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的發(fā)展進(jìn)入了一個(gè)復(fù)興時(shí)期。IBM科學(xué)家創(chuàng)造了新的磁帶儲(chǔ)存記錄，這向人們展示了磁帶在未來(lái)十年能夠連續(xù)發(fā)展，未來(lái)十分可觀。 IBM 合伙人 Evangelos Eleftheriou 表示，“以往，磁帶用來(lái)儲(chǔ)存音像資料、備份文件，作為災(zāi)難恢復(fù)的備份，以及儲(chǔ)存本地部署的信息。而如今，磁帶行業(yè)已將磁帶的用途擴(kuò)展至云端外部使用。雖然濺射磁帶制造成本可能略高于現(xiàn)在的亞鐵酸鋇 (BaFe) 商用磁帶，但是濺射磁帶可具備超高容量，這樣一來(lái)，每 TB 的成本實(shí)際大大降低了，因而將該項(xiàng)技術(shù)使用于云端冷儲(chǔ)存成為一個(gè)可行的方案?！? 多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)促成每平方英寸201GB儲(chǔ)存密度 為了實(shí)現(xiàn)每平方英寸 201 GB的密度，IBM 研究院開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)新的技術(shù)，包括： 獨(dú)具創(chuàng)新的數(shù)據(jù)信道信號(hào)處理算法。該算法基于噪聲預(yù)測(cè)探測(cè)原理，具備 48納米 超窄穿隧式磁阻 (TMR) 讀寫(xiě)器，支持磁帶儲(chǔ)存器在 818,000 比特線性密度下穩(wěn)定運(yùn)行。 一系列組合式高級(jí)伺服控制技術(shù)。該技術(shù)結(jié)合磁帶儲(chǔ)存技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)超過(guò) 7 納米的磁頭定位精度。與之匹配的 48納米 超窄 (TMR) 硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器讀磁頭支持每英寸 246,200 條磁軌的超高磁軌密度，是現(xiàn)在頂級(jí)驅(qū)動(dòng)器 TS1155 密度的 13 倍。 全新低摩擦磁頭技術(shù)。該技術(shù)使得超平滑磁帶媒介的運(yùn)用成為可能。IBM 與 索尼儲(chǔ)存介質(zhì)搞定方案(Sony Storage Media Solutions)公司緊密合作多年，一直致力于提升磁帶的儲(chǔ)存密度。IBM 與 Sony 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，取得了多項(xiàng)介質(zhì)技術(shù)進(jìn)步成果，比如長(zhǎng)濺射磁帶高級(jí)卷對(duì)卷制造技術(shù)，以及更高效潤(rùn)滑技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更穩(wěn)定的磁帶功能。 一般來(lái)說(shuō)，濺射工藝的原理是運(yùn)用高能粒子(例如非反應(yīng)性氬氣離子)對(duì)目標(biāo)材料進(jìn)行轟擊，進(jìn)而將原子從靶源剝離，然后積淀在基底上。該工藝在一個(gè)真空室內(nèi)完成;從靶源噴射的原子需要吸附到基底等載體上，確保重新達(dá)到熱力學(xué)平衡。 就 IBM 的最新磁帶產(chǎn)品具體來(lái)說(shuō)，所用的濺射工藝是采用濺射積淀的方式在磁帶基底上形成 IBM 所謂的納米顆粒磁性層。 IBM 科學(xué)家、馬克?蘭特斯(MarkLantz)博士， 他手上拿著的是一平方英寸規(guī)格的原型磁帶。 磁帶儲(chǔ)存技術(shù)有著穩(wěn)固的未來(lái) IBM 隨后會(huì)將開(kāi)發(fā)及用于儲(chǔ)存密度的多項(xiàng)技術(shù)使用到未來(lái)的磁帶產(chǎn)品中。值得注意的是，早在 2007 年，IBM 便已成功將噪聲預(yù)測(cè)最大可能讀取通道和第一代亞鐵酸鋇 (BaFe) 磁帶介質(zhì)技術(shù)使用于商用產(chǎn)品。 IBM 院士 Evangelos Eleftheriou 曾在錄制某檔節(jié)目時(shí)介紹說(shuō)，“盡管相比現(xiàn)在運(yùn)用亞鐵酸鋇 (BaFe) 制造的商業(yè)磁帶產(chǎn)品，濺射磁帶的成本略高，但它在容量方面的潛力非常大，單位 TB 的儲(chǔ)存成本會(huì)因此而降低，因此非常適于在云端的冷儲(chǔ)存中運(yùn)用?！? IBM 專(zhuān)注于磁帶數(shù)據(jù)儲(chǔ)存技術(shù)創(chuàng)新數(shù)十載。早在 60 多年前，IBM 便發(fā)布了首款商用磁帶產(chǎn)品 726 Magnetic Tape Unit。這款產(chǎn)品采用半英寸磁帶卷，每盒磁帶具有2 MB 的儲(chǔ)存容量。與之相比，如今發(fā)布的儲(chǔ)存密度樣品可擁有165,000,000 倍的儲(chǔ)存容量。IBM公布的此項(xiàng)技術(shù)突破， 再次證明了對(duì)磁帶儲(chǔ)存技術(shù)的不懈追求，也再次確立了在磁帶技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 IBM認(rèn)為，新技術(shù)的出現(xiàn)預(yù)示著磁帶技術(shù)路線圖在未來(lái) 10 年里必定會(huì)穩(wěn)步發(fā)展。同時(shí)，IBM也有信心在未來(lái)的 8 到 9 年里，將 LTO Ultrium 的容量路線圖突破至 LTO-12 及 190+ TB。 不過(guò)，磁帶技術(shù)的發(fā)展還有很長(zhǎng)的路要走，我們?nèi)孕枧Α?/p>