14nm DDR4八核詳情曝光：可惜了
九月份的IDF峰會(huì)上，Intel正式宣布了“Xeon D”，也就是此前代號(hào)Broadwell-DE、面向微型服務(wù)器、嵌入式通信與存儲(chǔ)市場(chǎng)的第三代產(chǎn)品，將取代此前的Atom S1200/C2000。
Xeon D自然也是14nm工藝產(chǎn)物，它會(huì)是一個(gè)很大的單芯片SoC，身材和功耗更小，而且最多八個(gè)CPU核心，同時(shí)支持DDR3/DDR4 ECC。
這可要比消費(fèi)領(lǐng)域Broadwell的雙芯片、最多四核心、僅支持DDR3要強(qiáng)太多了。
而除了TXT、AVX2、TSX指令集，VT-x、VT-d虛擬化這些常規(guī)技術(shù)，它還會(huì)額外支持內(nèi)存RAS特性，并且有大量的I/O接口。
Xeon D將在2015年上半年發(fā)布，但是第二季度首發(fā)的只有一款高端八核，熱設(shè)計(jì)功耗45W，網(wǎng)絡(luò)功能受限而僅面向微型服務(wù)器。
全面爆發(fā)還得等第三季度，其中用于微型服務(wù)器的有八核、六核、四核三款型號(hào)，熱設(shè)計(jì)功耗都是45W。
嵌入式領(lǐng)域的則有八核45/35W、六核35W、四核35/25W，以及兩款雙核，其一25W，其二不到20W，不過后者會(huì)劃入奔騰序列。
如果這一切能出現(xiàn)在明年的筆記本里該多好啊……
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