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機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤?

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  2.5寸的固態(tài)硬盤容量已經(jīng)做到30TB以上,而3.5寸機(jī)械硬盤不過最高14TB,而最常用的還是3TB的容量價(jià)格比最高。硬盤廠到底遇到什么麻煩了?有消息稱,機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破可以續(xù)命5年!但為什么還是難以追上固態(tài)硬盤呢?究竟是怎么回事呢?下面讓小編來為大家解讀。

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖1

  機(jī)械硬盤的盤片表面光可鑒人,實(shí)際上卻是一層磁性儲(chǔ)存介質(zhì)。要提升硬盤容量只有縮小磁性微粒的體積,但是這樣一來穩(wěn)定性會(huì)下降,數(shù)據(jù)非常容易出錯(cuò)。而更換穩(wěn)定性強(qiáng)的材料制造,又會(huì)讓磁頭難以改變它的磁性,也就是無法寫入數(shù)據(jù)。寫入前預(yù)加熱可以讓寫入順利進(jìn)行,過后冷卻又能讓數(shù)據(jù)記錄更為可靠。

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖2

  一個(gè)可行的方式是在寫入磁頭上加入激光器,通過激光將盤片表面瞬間加熱到400至于700度高溫,數(shù)據(jù)寫入完成后再將盤片冷卻保存數(shù)據(jù),這種技術(shù)被稱為HAMR,即熱輔助磁記錄。希捷計(jì)劃在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)HAMR的商用,不過即便實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),硬盤的容量還是無法追上當(dāng)前30TB的固態(tài)硬盤。

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖3

  磁頭上的這個(gè)激光器功率大約為200mW,功耗上增加不大,但是盤片的耐久度會(huì)成為新問題,未來機(jī)械硬盤也要和固態(tài)硬盤一樣談寫入耐久度了。除了激光加熱之外,西部數(shù)據(jù)還提出了運(yùn)用微波激活寫入的路線,被稱為MAMR。

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖3

  MAMR還有一個(gè)潛在的能力未來有望得到開發(fā),那就是多層記錄。通過不一樣波段的微波激活盤片上不一樣的記錄層,然后再由磁頭對選中的記錄層進(jìn)行讀寫操作。   為什么說機(jī)械硬盤即便獲得技術(shù)突破也難以追上固態(tài)硬盤呢?因?yàn)榍笆龅募夹g(shù)都還處于研究階段,而固態(tài)硬盤運(yùn)用的閃存早就能通過堆疊來實(shí)現(xiàn)容量倍增。通過疊Die,每個(gè)閃存顆粒當(dāng)中都可以封裝進(jìn)多個(gè)閃存芯片。特別是Toshiba首次使用TSV硅通孔技術(shù),下圖中的一顆閃存內(nèi)最多可封裝進(jìn)16個(gè)小芯片。

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖4

  現(xiàn)在固態(tài)硬盤在最大容量和單位空間儲(chǔ)存密度上都已經(jīng)超越了機(jī)械硬盤,唯一剩下的障礙就是單位容量成本了。在成本縮減上,當(dāng)前最有效的方式不再是制程微縮,而是3D工藝,簡單的說就是芯片內(nèi)部的垂直堆疊。

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  Toshiba正在研究的BiCS 4閃存已經(jīng)首次達(dá)到96層高度,而64層的BiCS 3已經(jīng)正式出貨并使用到固態(tài)硬盤和iPhone當(dāng)中。

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖6

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖7

  讓機(jī)械硬盤更無出頭之日的是即將隨96層BiCS閃存問世的QLC 4bit per cell技術(shù)。雖然從MLC到TLC的過度讓大家花了很多時(shí)間去接受,在ToshibaQSBC等高級LDPC糾錯(cuò)技術(shù)以及3D閃存結(jié)構(gòu)的支持下,QLC的普及將更為順滑。不出意外的話明年晚些時(shí)候我們就能看到QLC閃存了。

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖7

  高速旋轉(zhuǎn)的機(jī)械硬盤只需一個(gè)震動(dòng)就可能產(chǎn)生壞道,QLC對耐久度的影響要比把盤片瞬間加熱到400度的HARM小的多。Toshiba估計(jì)3D QLC閃存的耐久度將會(huì)比當(dāng)前MLC閃存更高:

機(jī)械硬盤獲得技術(shù)突破續(xù)命5年!為什么還是難以追上固態(tài)硬盤 圖8

  距離QLC問世還有一段時(shí)間,3D TLC跟MLC相比哪個(gè)更好呢?

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