國產(chǎn)主控也能帶起Intel QLC閃存了：14nm工藝，容量高達4TB
目前閃存技術(shù)基本上向著兩個方向前進，一個是把3D TLC閃存的堆疊層數(shù)從64層增加到96層，另一個就是從TLC演化成QLC，實際上兩個方案都有優(yōu)點和缺點，廠家目前也不太清楚兩個哪個好一點，所以基本上兩個都在研發(fā)。隨著Intel和美光的大方宣告，QLC閃存終于迎來發(fā)展的黃金期，國產(chǎn)主控也能帶起Intel QLC閃存了，日前，聯(lián)蕓科技展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品，采用14nm工藝，容量高達4TB。 QLC閃存每單元可以保存4比特數(shù)據(jù)，相比TLC又多了三分之一，也就是相同面積下的容量密度將提升33%。不過由此帶來的缺憾是，理論PE（編程擦寫循環(huán)）只有1000次，是TLC閃存的1/3。 聯(lián)蕓科技展示的基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品，容量高達4TB，它采用了聯(lián)蕓自家的型號為MAS0902A-B2C主控，基于GF 14nm工藝打造，支持Agile ECC 2和WriteBooster 2與虛擬奇偶校驗恢復(fù)等技術(shù)，閃存型號是Intel N18A 3D QLC。 然而，可能是主控還不夠先進，這套SSD顆粒的PE只有500次，按照規(guī)劃壽命5年的話，DWRD只有0.3不到（不考慮寫入放大）。聯(lián)蕓稱，閃存顆粒屬于早期的版本且主控也有調(diào)試空間，量產(chǎn)后肯定是高于500PE的。 性能方面，連續(xù)讀取562MB/s，寫入520MB/s，對于SATA 3來說，算是很不錯的了。聯(lián)蕓表示，如果想進一步提速，可以選擇帶DRAM的MAS0901主控。
目前，這款基于Intel QLC閃存的SSD產(chǎn)品還是處于初期的樣品階段，將來它會有怎么樣的表現(xiàn)呢？讓我們拭目以待吧！但是，這樣的企業(yè)是值得點贊的！