閃存/內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)格已開始上漲
閃存/內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)格已開始上漲
受日本地震、海嘯災(zāi)難導(dǎo)致東芝等企業(yè)晶圓廠停產(chǎn)等問題影響，3月14日本周一，現(xiàn)貨市場(chǎng)中的MLC NAND閃存芯片價(jià)格大漲20%，DDR3內(nèi)存芯片價(jià)格也上漲了7%左右。
根據(jù)DRAMeXchange的統(tǒng)計(jì)，本周一16Gb和32Gb MLC NAND閃存芯片的價(jià)格分別上漲了16.75%和20.5%，達(dá)到4.67美元和6.06美元。MicroSD存儲(chǔ)卡的現(xiàn)貨價(jià)格更是單日上漲26%。有廠商預(yù)計(jì)，完整存儲(chǔ)卡形式的NAND閃存本周內(nèi)可能最高漲價(jià)50%。
內(nèi)存方面，品牌和eTT 1Gb DDR3內(nèi)存顆粒價(jià)格周一分別達(dá)到1.11美元和0.97美元，相比上周五上漲7.2%和7.6%。市場(chǎng)普遍擔(dān)心，由于廠房受損、輪流停電、人員停工以及物流不暢等問題，日本的存儲(chǔ)芯片行業(yè)供應(yīng)將受到嚴(yán)重影響，迅速推高了閃存/內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格。
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