14nm Broadwell-E首曝：Intel你好無(wú)聊！
Haswell-E讓大家感受到了八核心、DDR4內(nèi)存的威力，那么發(fā)燒桌面平臺(tái)的下一站在哪里呢？VR-Zone帶來(lái)了答案：14nm Broadwell-E！ Broadwell雖然主攻移動(dòng)筆記本平臺(tái)，桌面主要交給Skylake，但是也會(huì)有一些K系列黑盒版提供給超頻玩家?，F(xiàn)在又第一次有確切資料顯示，Broadwell同樣將會(huì)有發(fā)燒版本。 Broadwell-E自然也是14nm工藝的，這是最大亮點(diǎn)，但是說(shuō)實(shí)話，其他方面就真的乏善可陳了：八核心或六核心(X/K版本都可超頻)、最多20MB三級(jí)緩存、超線程技術(shù)、睿頻加速2.0技術(shù)、四通道DDR4-2400內(nèi)存(每通道一條)、40條PCI-E 3.0通道…… 也就是說(shuō)，除了內(nèi)存頻率會(huì)提高一個(gè)檔次(現(xiàn)在是DDR4-2133)，其他和Haswell-E根本就毫無(wú)區(qū)別！ 好消息也有，一是封裝接口延續(xù)LGA2011-v3，繼續(xù)搭配X99芯片組，現(xiàn)在的主板刷個(gè)BIOS就能上，二是熱設(shè)計(jì)功耗最高還是140W，因此極有可能頻率會(huì)有明顯提升。 Broadwell-E的預(yù)覽樣品將在2015年第二季度送出，ES工程樣品安排在第36周(8月中上旬)，QS樣品則要等到第47周(10月中下旬)，量產(chǎn)就得2016年第一季度了。 簡(jiǎn)而言之，Broadwell-E就是個(gè)小幅升級(jí)版本，很類似Ivy Bridge-E，而要想看到下一個(gè)大招，那就得期待Skylake-E了，2017年？嗯，反正AMD的全新架構(gòu)還得至少兩年，反正這種發(fā)燒平臺(tái)的銷量也不過(guò)0.x％，Intel才不急呢。
Q:Haswell-E 有哪些特點(diǎn)？
A:Haswell-E 讓大家感受到了八核心、DDR4 內(nèi)存的威力，八核心或六核心（X/K 版本都可超頻）、最多 20MB 三級(jí)緩存、超線程技術(shù)、睿頻加速 2.0 技術(shù)、四通道 DDR4-2133 內(nèi)存（每通道一條）、40 條 PCI-E3.0 通道等，封裝接口為 LGA2011-v3，搭配 X99 芯片組。
Q:Broadwell-E 的工藝是什么？
A:Broadwell-E 是 14nm 工藝。
Q:Broadwell-E 有哪些核心版本？
A:Broadwell-E 有八核心或六核心版本。
Q:Broadwell-E 的 X/K 版本可以超頻嗎？
A:可以超頻。
Q:Broadwell-E 的三級(jí)緩存有多大？
A:最多 20MB 三級(jí)緩存。
Q:Broadwell-E 有超線程技術(shù)嗎？
A:有超線程技術(shù)。
Q:Broadwell-E 的睿頻加速技術(shù)是什么版本？
A:睿頻加速 2.0 技術(shù)。
Q:Broadwell-E 支持的內(nèi)存頻率是多少？
A:四通道 DDR4-2400 內(nèi)存（每通道一條）。
Q:Broadwell-E 的封裝接口是什么？
A:封裝接口延續(xù) LGA2011-v3。
Q:Broadwell-E 什么時(shí)候發(fā)布？
A:預(yù)覽樣品將在 2015 年第二季度送出，ES 工程樣品安排在第 36 周（8 月中上旬），QS 樣品則要等到第 47 周（10 月中下旬），量產(chǎn)就得 2016 年第一季度了。