DDR4比DDR3內(nèi)存差別在哪里？
? 如今DDR4開始進(jìn)入我們的視野，占領(lǐng)市場多年的DDR3地位開始動搖了。相比于前幾代內(nèi)存，特別是DDR3，DDR4有了太多的改變。外觀、性能、功耗、儲存容量、頻率、帶寬等相都有很大的提升。 DDR4平臺改變：skylake上線 ? 更加高效的平臺需要性能更加強(qiáng)大的內(nèi)存支持，早在2014年Intel的Haswell-E處理器及X99平臺，已經(jīng)率先為桌面平臺帶來了原生DDR4內(nèi)存支持，2015年的Intel Skylake也將支持DDR4。Intel Skylake是Intel Haswell微架構(gòu)及其制程改進(jìn)版Intel Broadwell微架構(gòu)的繼任者。采用14納米制程。主要特性就有同時(shí)支持DDR3L和DDR4-SDRAM兩種內(nèi)存規(guī)格。 ? DDR4外觀變化：金手指彎了 ?
彎了的金手指（具體看紅框標(biāo)出來的）
外觀是普通消費(fèi)者鑒別一個(gè)事物最主要的標(biāo)準(zhǔn)。一句話，DDR4相比較DDR3更好插了，在之前內(nèi)存插上主板時(shí)，由于摩擦的作用，拔下來是很費(fèi)勁的，在DDR4平臺上這樣的情況作出了改變。 ? 可以看到DDR4的金手指部分相比原來DDR3時(shí)直直的一排，變成了首尾兩邊有一定程度的收緊，我們把內(nèi)存直立在水平桌面上便可以看出。這樣的設(shè)計(jì)既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面信號傳輸確保信號穩(wěn)定的同時(shí)，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。同時(shí)DDR4相比DDR3金手指中間的“缺口”更為靠近中央。觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個(gè)，而DDR3則是240個(gè)，每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm。 2133MHz起跳 DDR4 PK DDR3性能提升 我們知道內(nèi)存最重要的就是頻率和帶寬。傳輸速度是衡量內(nèi)存優(yōu)劣的重要指標(biāo)之一，在DDR3時(shí)代傳輸速度最高到2133MHz不等；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，并且可以達(dá)到4266MHz。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。 儲存容量大幅提升 在儲存方面同一單位的的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間，同時(shí)DDR4能夠搭載最多8個(gè)模塊。比DDR3多一倍。這樣算下來同樣的空間DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。通俗一點(diǎn)的說，就好比壓縮袋在整理衣服的作用。同樣的衣柜在DDR4情況下就能夠裝下你更多的衣服被子。 最后一點(diǎn)就是功耗的下降。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V而DDR4降至1.2V，移動設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗DDR4更降至1.1V。能省則省，功耗能多低就多低，誰不喜歡呢！ ? DDR4相比DDR3提升了頻率和帶寬等一系列硬件參數(shù)，在提升性能的同時(shí)降低了能耗，為移動設(shè)備提供了更好的支持，在intel新的平臺的支持和推動下，各大廠商也開始生產(chǎn)推廣自己的DDR4產(chǎn)品。如今阻止DDR4普及的也就只剩下價(jià)格方面了，但隨著時(shí)間的推移DDR4遲早也會像DDR3一樣來到各位用戶的身邊。 DDR4內(nèi)存專題：https://www.chinafix.com/zt/20735-1.html該文章被收錄于：
ddr3內(nèi)存 ? https://www.chinafix.com/zt/20887-1.html
DDR4內(nèi)存 ? https://www.chinafix.com/zt/20735-1.html
Q:DDR4和DDR3相比，在平臺支持方面有什么不同？
A:早在2014年Intel的Haswell-E處理器及X
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