打破壟斷 國產閃存芯片之路有多遠？
每年中國進口的商品當中，芯片進口比例最大。僅2016年1月份到10月份，中國在進口芯片上一共花費了1.2萬億人民幣，是原油進口的兩倍。2017年中國芯片市場規(guī)模達到千億美元，占全球芯片市場50%以上，其中存儲芯片市場規(guī)模達到2465.5億元，占國內市場比重23.7%，其比重超過CPU、手機基帶芯片。而國產閃存芯片產業(yè)基本空白，幾乎100%依賴進口。國產閃存芯片，已刻不容緩。 在中國固態(tài)硬盤市場，因閃存顆粒不足所導致的問題更為嚴重：廉價、非原廠品牌的SSD銷量開始逐步上升，而原廠顆粒受影響銷量下滑。 過去三年是固態(tài)硬盤發(fā)展的黃金時期，國產SSD品牌因為技術壁壘、品牌熟知度等問題無法和一線品牌抗衡。但今天各大Flash原廠由于發(fā)力3D Flash技術，導致閃存顆粒嚴重缺貨，價格自然也水漲船高，所以消費者受價格因素影響不得不選擇此類不良固態(tài)硬盤。 現(xiàn)今3D Flash產能仍然嚴峻，良品率低因此產生的原料非常多。這些原料對于一線品牌是廢品，但到了不良廠商手中卻成了“寶藏”。 現(xiàn)在，中國這樣的SSD品牌高達上百個，亂象叢生。 Flash價格不停上漲，消費者更容易選擇廉價產品也在情理之中。但不得不指出的是，消費者在購買廉價SSD的同時，并不清楚這里面的“貓膩”，廉價SSD現(xiàn)在很多采用了黑片，也就是Downgrade顆粒，此外還有拆機片。一些自稱國貨精品的品牌也在大肆出售劣質顆粒的SSD，且試圖掩蓋真相不讓消費者知情。同時，再引導不明真相的網站平臺廣泛傳播渠道的銷售狀況，將短期的銷量提升粉飾成產品與品牌的成功，借此誘導更多人上當受騙。 沒有自主產權，僅靠貼片、造假，這樣的國產SSD品牌能走多遠？我們不得而知。但有一點可以確定，廉價、劣質的國產SSD進一步的降低了消費者對“國產SSD”的信任，這是一種竭澤而漁的商業(yè)模式。 2017閃存市場現(xiàn)狀：沒國產啥事 上文提到，現(xiàn)在各大閃存芯片廠商正在加緊量產3D NAND，這也是全球閃存芯片廠商必爭的制高點。美光、東芝/西部數據（WD SanDisk）、SK海力士，甚至英特爾也加入到3D NAND。但大部分原廠在2D NAND到3D NAND的切換階段都經歷了產能和成本的陣痛期，三星最早投入3D NAND，到2016年底生產比重才突破35%，東芝、美光、SK海力士幾家占比更是不到10%，從而導致3D NAND上市延后。 2016年是閃存芯片轉型的一年，三星西安廠/Fab 17/Fab 18、東芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都將在2017年全面進入3D NAND量產階段，原廠3D NAND產能競賽正在有序開展。 2017年Flash原廠3D NAND技術規(guī)劃： 三星：64層V-NAND產品，三星已經開始了樣品的測試和小規(guī)模試產，預計在2017年Q1開始放大試產規(guī)模，預計V-NAND產能的占比在2017年Q1將達到45%。 東芝/西部數據(WD SanDisk)：2016下半年宣布3D技術向64層提升，年底已小量生產，2017年會把生產主力切換到64層3D NAND量產。 SK海力士：2017年計劃提升至72層3D NAND量產，將在Q1推出樣品，Q2開始小批量生產。 美光：64層3D NAND已于2016年12月送樣，2017年將逐步進入量產階段。 閃存芯片市場需求有多大？ 雖然PC持續(xù)萎靡多年，但SSD和智能手機的閃存芯片需求的強勢增長已經彌補了其他硬件市場需求冷淡的情況。今年智能手機的容量進一步增大，即將發(fā)布的iPhone 8在256GB的帶動下將消耗大量閃存芯片，預計42%的閃存芯片產能將用于智能手機，但我國生產的手機閃存芯片依舊100%依賴進口。 在SSD消費類市場和企業(yè)級市場，閃存芯片需求量也在逐步擴大，預計2017年SSD存儲密度將進一步持續(xù)增加至690億GB當量，較2016年增長57%，有機會取代嵌入式產品成為NAND Flash最大的應用市場，也是Flash原廠和主要模組廠商、OEM廠商等必爭之地，市場競爭也將再次升級。 伴隨著Flash原廠擴大3D NAND量產規(guī)模，大數據和核心應用繼續(xù)快速增長，相信2017年是閃存芯片產業(yè)整體快速增長的一年。 國產閃存芯片布局 ? 我們先看一下國產閃存芯片有哪些正在崛起的存儲供應商。在IC Insights副總裁Brian Matas早期的報告中我們看到，現(xiàn)在中國存儲領域有三個主要的競爭者，分別是： ?。?）2016年7月，紫光集團收購了武漢新芯，并建立了一個叫長江存儲的合資公司。這個12寸晶圓廠將聚焦在3D NAND Flash的生產，至于具體的量產時間，還沒有披露。 ?。?）合肥SKT項目，預估在2017年底建造一個DRMA FAB。 ?。?）福建晉華項目，準備打造DRAM Fab，預估在2018年第三季度量產。 在以上三個項目中，合肥的SKT項目已經停止運營了。這個由爾必達前CEO Yukio Sakamoto建立的公司，曾經嘗試從日本、臺灣和韓國招募1000個存儲相關的工程師，以彌補中國在有經驗的存儲開發(fā)工程師的不足，Sakamoto更是想從日本尋找180個能夠遷到中國來工作的工程師，但這個提議遭到了合肥當地政府的反對。 盡管SKT的承諾超過了半導體行業(yè)的正?，F(xiàn)象，但這也給了中國半導體人一些新的方向，一個能夠籠絡工程師去保持他們Fab繼續(xù)運行的方法。 而在設備方面，長江存儲方面表示，他們現(xiàn)在用的半導體設備和三星在西安工廠所使用的是一樣的（三星的西安工廠只制造32層的NAND Flash，64層的NAND Flash是在韓國本土制造）。 不過雖然長江存儲能買到同樣的設備，但他們缺少有經驗的人去操作這些設備。 上個世紀90年代，三星花費重金從日本招聘DRAM工程師，當時那些工程師可以保留白天的工作，而可以在晚上或者周末為三星服務。通過這些兼職工作，工程師們能獲得高額的報酬。就是通過這種方式，三星逐漸發(fā)展其了其DRAM產業(yè)。 而二十多年后的今日，韓國受到了當初日本的對待。雖然中國并沒有韓國當初那么瘋狂，但沒有什么方法可以組織長江存儲招聘來自西安三星的工程師。 中國瘋狂建廠存在的風險 從現(xiàn)在的種種跡象表明，3D NAND產能不足的問題將于2018年緩解。而長江存儲近2年瘋狂的半導體建設或許會引發(fā)一個新的風險，那就是產能過剩。 去年，IC Insights的Matas寫到，現(xiàn)在在追逐3D NAND Flash的產能的公司有三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/閃迪和長江存儲，還有一些可能加入戰(zhàn)局的中國制造商。 雖然業(yè)界認為未來五年工業(yè)界會發(fā)生很重要的轉變，并會帶來很強大的存儲需求，但如果國產閃存芯片的存儲布局能夠順利進行，那么最后必將會面對產能過剩的風險。 有人指出，對于中國的這些投資我們應該抱有一種什么樣的態(tài)度，究竟是應該感謝他們致力于打破三星的壟斷，給我們帶來更多的選擇，還是該批判他們這種行為？ 一位專家海指出，中國想通過存儲切入半導體產業(yè)鏈，這或許是一個錯誤的選擇，因為存儲上面投資的金額實在太大了。每一代技術的投資成本都數十億美元，這對中國來說是一個很大的冒險。 投資無數的錢在一個未知結果的領域，面臨的壓力是可想而知的。 最后回到標題，國產閃存芯片之路有多遠？根據紫光集團布局和建廠進度，2018年我國將量產3D NAND閃存，大家請耐心等待。