三星 “DDR5”內(nèi)存：容量、速率驚人
? 2007年，DRAM產(chǎn)業(yè)宣布DDR3時(shí)代來臨，到了2012年，DRAM才正式進(jìn)入DDR4，五年的時(shí)對(duì)于瞬息萬變的科技界來說，實(shí)在不短。如果算上圖紙階段，更是長(zhǎng)達(dá)8-9年。不過，隨著Intel Skylake的全面推出，DDR4內(nèi)存終于迎來春天。而就在這個(gè)時(shí)候，三星已經(jīng)開始想DDR4繼任者的事情了?，F(xiàn)在，行業(yè)內(nèi)人士已經(jīng)開始著手打造新的后DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)（暫稱為DDR5）了。近日，三星首次透露了一些關(guān)于后DDR4內(nèi)存的初步信息。 ? 首先，在傳輸速率方面，后DDR4內(nèi)存每針腳的傳輸速率將達(dá)到6.4Gbps，總帶寬將達(dá)到51.2GB/s；容量方面的變化將更加顯著，單顆內(nèi)存容量將從4Gb、8Gb增加到32Gb，這對(duì)于服務(wù)器等設(shè)備來說十分重要。在工藝制程方面，后DDR4內(nèi)存或?qū)⒉捎?0nm工藝打造， ? 現(xiàn)有的DDR4標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)具備很高的性能，不過也有兩個(gè)因素制約它繼續(xù)提高，其一是如果不使用單獨(dú)的緩存器，每個(gè)通道最多只能承載兩個(gè)內(nèi)存模塊；另外，在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)垂直芯片封裝下，最大時(shí)鐘頻率大概只能達(dá)到4.26GHz。為了解決這些難題，三星也在考慮采用光學(xué)接口、2.5D或是3D封裝等新技術(shù)。 ? ? 三星預(yù)計(jì)后DDR4內(nèi)存的第一個(gè)原型將在2018年出現(xiàn)， 2020-2025年之間會(huì)真正現(xiàn)身市場(chǎng)。 ? ?