僅重60克！史上最小Type-C手提電腦適配器面世
納微(Navitas)半導(dǎo)體近日宣告推出迄今為止世界上最小的65W USB-PD(Type-C)電源適配器參考規(guī)劃。相比傳統(tǒng)硅IC，這種高頻、高效的AllGaN功率IC可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕重量和降低成本。傳統(tǒng)基于硅類功率器件的規(guī)劃需要98-115cc(或6-7 in3)和300g重量，但基于AllGaN功率IC的65W新規(guī)劃體積僅為45cc(或2.7 in3)，而重量?jī)H為60g。 納微半導(dǎo)體銷售和營銷副總裁Stephen Oliver表示，速率與效率是電源規(guī)劃中兩個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。高開關(guān)速度可實(shí)現(xiàn)小體積、低成本和更快速充電，高效率則節(jié)省能源，但通過硅或分立GaN功率器件，卻往往只能實(shí)現(xiàn)其中一個(gè)目標(biāo)，要想兩者得兼，GaN功率IC將成為必備之選?！ 《鴱墓β孰娮拥陌l(fā)展來看，從1975年線性穩(wěn)壓器到1985年開關(guān)穩(wěn)壓器發(fā)展的十年間，效率從40%提升至80%，提升約5倍；然而從1985年到2015年，30年間器件尺寸和效率都沒有得到顯著提升；隨著GaN功率IC的誕生，估計(jì)在未來十年，功率器件的尺寸將減少3-5倍左右，效率也將提升到95-99%，整個(gè)電源行業(yè)將因此得到極大的改變。 納微此番推出了兩種GaN功率IC：?jiǎn)纹珊桶霕蛐停罢咴趩涡酒屑闪薌aN FET (范圍110-560 m)、GaN驅(qū)動(dòng)器和GaN邏輯；后者則采用6x8mmQFN封裝，包括2x GaN FET (非對(duì)稱/對(duì)稱范圍110-560 m)、2x GaN驅(qū)動(dòng)器和GaN邏輯(電平-轉(zhuǎn)移、導(dǎo)引、UVLO、擊穿、ESD)。 納微共同創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Gene Sheridan稱，由于其他GaN需要許多元器件，產(chǎn)生復(fù)雜的電路，包括隔離電源、隔離驅(qū)動(dòng)、穩(wěn)壓器等，而ALLGaN將除控制芯片以為的多個(gè)元器件做了集成，將復(fù)雜的電路簡(jiǎn)單化，易于運(yùn)用。以此次推出的ALLGaN功率IC為例，它可提供高達(dá)40MHz開關(guān)速度、密度高達(dá)5倍，與硅驅(qū)動(dòng)的GaN功率IC相比，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，系統(tǒng)成本可降低20%。 史上最小65W USB-PD適配器 用GaN功率IC規(guī)劃的65W參考規(guī)劃NVE028A采用有源鉗位反激(ACF)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，開關(guān)速度比典型的轉(zhuǎn)換器規(guī)劃快了3至4倍，損耗降低40%，從而實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸(51x43x20.5mm)、突破性的功率密度(1.5W/cc, 24W/in3 )和更低的成本，也完全符合歐盟CoC Tier 2及美國能源部6級(jí)(DoE VI)所規(guī)范的能效標(biāo)準(zhǔn)，更可在滿負(fù)載下實(shí)現(xiàn)超過94%的最高尖峰效率。 NVE028A相比先前同級(jí)最佳產(chǎn)品減小50% 65W參考規(guī)劃NVE028A可在滿負(fù)載下實(shí)現(xiàn)超過94%的最高尖峰效率 無需散熱片即可滿足客戶外殼≤50℃的規(guī)范要求 Gene Sheridan就晶圓廠產(chǎn)能向用戶做出了承諾。他強(qiáng)調(diào)說，由于采用了GaN-on-Si晶圓的標(biāo)準(zhǔn)CMOS，使得GaN epi反應(yīng)器只需6個(gè)月的交貨時(shí)間。而在封裝產(chǎn)能方面，則是采用標(biāo)準(zhǔn)工藝及設(shè)備的QFN封裝，高速最終測(cè)驗(yàn)儀只需3個(gè)月的交貨時(shí)間。