最大芯片：IBM出品 7nm制程
IBM 9 日宣布與 GlobalFoundries 、 Samsung 及 SUNY Polytechnic Institute's Colleges 納米科技工程部攜手打造全體首枚僅 7nm 晶片原型，耗電量大幅降低外，運(yùn)算速度更比現(xiàn)時(shí)最高能的晶片快近四倍，令市場(chǎng)震驚。 當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然關(guān)注那家廠商能率先進(jìn)入 10nm 工藝制程的同時(shí)， IBM 突然發(fā)布已經(jīng)制作出只有 7nm 的晶片原型，無(wú)疑令市場(chǎng)喜出望外，雖然 7nm 晶片仍需兩年時(shí)間才進(jìn)入商用，但這款晶片為全球首款低于 10nm 及首款采用 SiGe 物料的 FinFET 晶片，意義深遠(yuǎn)。 ? 其采用了最新混合物 Silicon Germanium (SiGe,) 物料打造，相對(duì)現(xiàn)時(shí)采用純硅的晶片原料， SiGe 的通斷反應(yīng)更高效，而且功耗要求更低。另外，由該物料打造的 7nm 電晶體已直迫人類 DNA 的尺寸大小 ( 約 2.5nm) 。 ? 另一方面，若電晶體逐漸接近原子尺寸，需采用 Extreme Ultraviolet (EUV) lithography 光刻微影技術(shù)，當(dāng)于 7nm 晶片上進(jìn)行 EUV 刻印線路時(shí)，即使輕微的震動(dòng)也會(huì)對(duì)晶片造成破壞，制造廠商需打造成將近零震動(dòng)的環(huán)境下生產(chǎn)。據(jù)了解，一臺(tái) EUV 設(shè)備約為 1.5 億美元，據(jù)稱 Intel 、 Samsung 及 tsmc也會(huì)導(dǎo)入 EUV 技術(shù)。