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縱觀終端處理器“三大支柱”新動(dòng)態(tài)

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  雖然目前手機(jī)處理器市場(chǎng)上的供應(yīng)商還是比較多,不過(guò)能夠大量通過(guò)出貨的主要還要以來(lái)高通和聯(lián)發(fā)科、三星為主。

  而移動(dòng)智能終端處理器也暫時(shí)進(jìn)入技術(shù)穩(wěn)定升級(jí)周期,多模多頻、自研架構(gòu)和高工藝、高集成設(shè)計(jì)成為業(yè)界共同發(fā)展的方向。下面我們就來(lái)回顧下這幾大巨頭的最新處理器動(dòng)向吧!

  高通驍龍835處理器

  高通依然是領(lǐng)先技術(shù)水平的代表,其新一代芯片平臺(tái)驍龍830采用三星10nm FinFET 工藝,基于自研64位kyro 架構(gòu)并實(shí)現(xiàn)七模全頻LTE,最高主頻逼近3GHz;驍龍835預(yù)計(jì)明年上半年可以上市。

  

  3GHz比目前高通最強(qiáng)的驍龍821還提升了27%,竟然完全與高通所說(shuō)的“驍龍835實(shí)現(xiàn)性能提升27%”相契合。

  而據(jù)爆料,驍龍835將會(huì)采用升級(jí)版64位自主架構(gòu)Kyro 200,并且是四大、四小的八核設(shè)計(jì),基帶是X16,最高支持LTE Cat.16,理論下載速度高達(dá)1Gbps。

  三星Exynos8處理器

  如果說(shuō)高通是自主設(shè)計(jì)CPU的老手,當(dāng)年的Krait橫興天下無(wú)敵手,三星則是第一次玩自己的CPU架構(gòu),結(jié)果表現(xiàn)絲毫不比高通遜色。

  

  通過(guò)自有的14nm FinFET 工藝和自研64位架構(gòu)Mongoose的結(jié)合提升了Exynos8芯片的高端化水平,而這都得益于Exynos M1架構(gòu)的實(shí)現(xiàn);

  Exynos M1架構(gòu)

  Hots Chips大會(huì)上,三星終于公布了Exynos M1(代號(hào)為貓鼬Mongoose)的一些架構(gòu)設(shè)計(jì)資料。

  M1架構(gòu)基于ARMv8 32/64位指令集,是三星第一次從零開(kāi)始做CPU架構(gòu)設(shè)計(jì),從立項(xiàng)到流片歷時(shí)3年,看來(lái)是在2013年Galaxy S4發(fā)布前后啟動(dòng)的。

  由于采用了14nm FinFET先進(jìn)工藝和自主架構(gòu),M1的核心頻率可達(dá)2.6GHz,核心功耗則不到3W,因此可以同時(shí)集成四個(gè)M1自主核心和四個(gè)A53小核心。

  2.3GHz M1架構(gòu)、2.1GHz A57公版架構(gòu)功耗、能效對(duì)比:頻率高200MHz,功耗只高10%左右或持平甚至更低,而能效則普遍高出50-100%,最多接近3倍!

  聯(lián)發(fā)科Helio P35處理器

  反觀聯(lián)發(fā)科和MTK近期仍主要以高性價(jià)比為主,就在我們認(rèn)為最新的Heliox30 平臺(tái)將是用來(lái)媲美三星Exynos8,高通驍龍830的時(shí)候,聯(lián)發(fā)科又曝出了十核Helio P35處理器的消息。

  

  聯(lián)發(fā)科要爭(zhēng)奪高端手機(jī)處理器市場(chǎng)的心一直不死,奈何受制于GPU以及公版架構(gòu)的限制,一直都沒(méi)有能夠撼動(dòng)高通的霸主地位。今年率先推出了Helio X30處理器,更具現(xiàn)有消息,它的性能基本和驍龍820持平,要超越驍龍830有不小的難度。

  反觀Helio P35卻有了與高通驍龍835及三星Exynos8的架勢(shì)!據(jù)爆料Helio P35將會(huì)采用與Helio X30一樣的十核心三簇叢設(shè)計(jì),不過(guò)詳細(xì)的簇叢還沒(méi)有公開(kāi),初步猜測(cè)應(yīng)該是2+4+4的結(jié)構(gòu),即兩顆大內(nèi)核Cortex-A73 2.2GHz,4顆小內(nèi)核Cortex-A53 2.0GHz和4顆超小內(nèi)核Cortex-A53 1.8GHz,支持UFS2.1存儲(chǔ),而運(yùn)行內(nèi)存則可能最大支持到10GB(簡(jiǎn)直喪心病狂),Cat.10通訊基帶和雙攝像頭;不過(guò)Helio P10的弱點(diǎn)依舊在GPU部分,最高支持1080P確實(shí)有點(diǎn)弱;當(dāng)然了,Helio P35支持快充技術(shù),號(hào)稱20分鐘可以將電量充到70%;臺(tái)積電的10nmFinFET工藝制造。

  其余芯片發(fā)展?fàn)顩r

  除通信基帶芯片和應(yīng)用處理器芯外,高通、聯(lián)發(fā)科、三星等同步供應(yīng)的WiFi、藍(lán)牙、FM、NFC等短距離無(wú)線通信和GPS、北斗等導(dǎo)航芯片也逐步進(jìn)入成熟穩(wěn)定階段,WiFi開(kāi)始向802.11ac演進(jìn),藍(lán)牙4.0成為標(biāo)配,導(dǎo)航以兼容GPS,GLONASS、北斗等多種密室為重點(diǎn)普及方向。

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