電腦內(nèi)存價格將迎來大幅跳水，游戲玩家可任性升級
讓人喜聞樂見的內(nèi)存降價已經(jīng)開始了一段時間，DDR4內(nèi)存不再像以前那樣高高在上，而變得平易近人了，作為全球?yàn)閿?shù)不多幾家具備顆粒生產(chǎn)能力的廠商，三星在技術(shù)領(lǐng)跑上一直不遺余力，在2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星這次再次充當(dāng)領(lǐng)頭羊的角色，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過內(nèi)存市場今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價格降幅甚至高達(dá)40%。 跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進(jìn)，每一代工藝的進(jìn)步在外人看來感覺是越來越小了，CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是從20nm進(jìn)步到16/15nm，內(nèi)存工藝這次只是從20nm進(jìn)步到了18nm，線寬只縮小了2nm，是不是感覺沒什么變化。 實(shí)際上并不是這樣，雖然集成電路的生產(chǎn)制造過程都差不多，但具體到不同產(chǎn)品上又有很大不同。在20nm節(jié)點(diǎn)上，三星、SK Hynix及美光還可以使用45nm工藝級別的半導(dǎo)體印刷設(shè)備，但再往下就難了，工藝需要改進(jìn)，三星已經(jīng)開始啟用雙重曝光工藝，很多制造設(shè)備都是需要改進(jìn)或者升級的。從20nm到18nm，三星的DRAM內(nèi)存能效據(jù)稱提升了20%?，F(xiàn)在的情況是，三星已經(jīng)開始量產(chǎn)18nm工藝DRAM內(nèi)存，為了進(jìn)一步提升產(chǎn)能，三星還在安裝更多的半導(dǎo)體設(shè)備，預(yù)計今年夏天產(chǎn)能會大幅提升。 其他兩家對手的進(jìn)度沒這么快，他們的20nm工藝才量產(chǎn)不久，SK Hynix的18nm級別工藝還在開發(fā)中，而美光這兩年的日子不好過，研發(fā)進(jìn)度就更慢了，20nm工藝才剛量產(chǎn)，18nm工藝還很遙遠(yuǎn)，消息稱美光有可能落后三星2年左右。不過對內(nèi)存廠商來說，今年最大的問題恐怕不是產(chǎn)能和工藝，而是市場和價格。PC需求不斷下降，智能設(shè)備市場增速也沒之前那么高了，但20nm產(chǎn)能不斷擴(kuò)大，所以之前有預(yù)測稱今年DRAM內(nèi)存市場會迎來大跳水，最高降幅甚至高到40%！，各位有意升級內(nèi)存容量的小伙伴不妨持幣觀望一段時間。