除了發(fā)布SSD 美光年底還奉上DDR4內(nèi)存
消息稱，除了發(fā)布M500系列固態(tài)硬盤，美光還披露，將在今年年底發(fā)布DDR4 SDRAM內(nèi)存條?！ ?DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)在去年9月底制定完成，但之后各大內(nèi)存廠商都陷入了沉寂，誰也沒有公布相關(guān)產(chǎn)品計劃，畢竟平臺支持還遙遠得很，Intel最快也得2014年才能支持，而且初期僅限企業(yè)級平臺，消費級市場上杳無音信。 美光去年5月份研發(fā)完成了自己的第一條DDR4內(nèi)存，比海力士、三星慢了不少，但看起來在商用的速度上要加快了?！ ?據(jù)悉，美光的DDR4內(nèi)存頻率為2133MHz(標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范最高可達3200MHz)，容量最大16GB，工作電壓是標(biāo)準(zhǔn)的1.2V，長度和寬度分別為133.35毫米、31.25毫米?？雌饋沓跗诘囊?guī)格會非常保守。
該文章被收錄于：
DDR4內(nèi)存 ? https://www.chinafix.com/zt/20735-1.html
評論 (0)